在雙向直流電源突發(fā)模式下,功率管損耗主要包括導通損耗、開關(guān)損耗(開通損耗和關(guān)斷損耗)、死區(qū)時間損耗、驅(qū)動損耗等,以下是具體計算方法及分析:
導通損耗是指功率管在導通狀態(tài)下,由于導通電阻而產(chǎn)生的功率損耗。在雙向直流電源中,功率管(如IGBT或MOSFET)在導通時,其漏源電流(IDS(on))會在導通電阻(RDS(on))上產(chǎn)生壓降,從而產(chǎn)生導通損耗。導通損耗的計算公式為:
公式:Pon=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×Don
參數(shù)說明:
計算要點:
開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗,是由于功率管在開關(guān)過程中,電壓和電流的交疊而產(chǎn)生的損耗。
開通損耗:
關(guān)斷損耗:
計算要點:
死區(qū)時間損耗是指在死區(qū)時間內(nèi),由于低邊開關(guān)(MOSFET)體二極管的正向電壓和負載電流而產(chǎn)生的損耗。在同步整流式DC/DC轉(zhuǎn)換器中,為了避免直通電流,會設(shè)置一段死區(qū)時間,在這段時間內(nèi)兩邊的開關(guān)都是OFF的。然而,實際的開關(guān)是MOSFET,其中存在被稱為“體二極管”的寄生二極管。在死區(qū)時間內(nèi),低邊MOSFET的體二極管相對于負載電流是正向的,電流通過這個體二極管流向負載,從而產(chǎn)生損耗。
計算公式:Pdead_time=VF×IL×tdead(具體公式可能因電路架構(gòu)和器件參數(shù)而異)
參數(shù)說明:
計算要點:
驅(qū)動損耗是指柵極接受驅(qū)動電源進行驅(qū)動時產(chǎn)生的損耗。在雙向直流電源中,功率管的柵極需要接受驅(qū)動電源提供的電壓和電流來控制其開關(guān)狀態(tài)。驅(qū)動損耗的計算公式為:
公式:Pgs=Vgs×Qg×fs
參數(shù)說明:
計算要點: